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MOSFET 动态参数测试系统

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信息简介:MOSFET 动态参数测试系统

详细信息:
“MOSFET 动态参数测试系统”参数说明
元器件种类: 半导体器件测试仪
“MOSFET 动态参数测试系统”详细介绍
LX9600功率器件动态参数测试系统
系统用途
LX9600功率器件动态参数测试系统是由杭州励芯泰思特测试有限公司自主研制、开发、生产的半导体分立器件动态参数测试的专用设备,用于MOSFET、IGBT、快恢复二极管、双极型三极管的动态参数测试。测试原理符合相应的国家标准、国家**标准,系统为模块化、开放式结构,具有升级扩展潜能。
系统特点
PC机为系统的主控机
◆菜单式测试程序编辑软件操作简便
◆正负脉冲激励源
◆美国Lecroy 400M存储示波器用于时间测量,最小时间测量分辨率200pS
◆漏极电压达600V
◆漏极电流达200A
◆通过IEEE488接口连接校准数字表传递国家计量标准对系统进行校验
◆Prober接口、Handler接口可选(16Bin)
◆可为用户提供丰富的测试适配器
测试参数
开启时间Ton;关断时间Toff;延迟时间Td;
存储时间Ts;上升时间Tr;下降时间Tf;
二极管反向恢复时间Trr;
栅极总电荷Qg;栅源充电电量Qgs;栅漏充电电量Qgd等参数。

器件种类 ?测试条件
快恢复二极管
三极管
IGBT
MOSFET
(NPN) ?漏极电流ID:1A~200A;
漏极电压VDD:5V~600V
栅极电流IG:±(0.1mA~200mA),
栅极电压VG:±(5V~20V)
脉冲宽度:0.1us到100us,步距0.1us
阻性负载:(可选感性负载)


测试系统硬件基本配置
联想计算机一台:Windows操作系统、PCI或PCIE插槽1个以上;
计算机接口板(CPUINT)一块;
系统接口板(SYSINT)一块含GPIB接口;16位ADC,16X256 RAM;
数据采集板(VM)一块:
脉冲发生器电压源一块;
高速可编程脉冲发生器一块;
美国Lecroy 400M存贮示波器一台;
600V程控电压源一台;
电源控制板(PWC)一块;
自检模板一个;
测试适配器:二个
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